规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
晶体管类型 |
PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
800mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
30V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
250mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
30 @ 50mA, 5V |
功率 - 最大 |
625mW |
频率转换 |
100MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
包装材料
|
Bulk |
包装 |
3TO-92 |
类型 |
PNP |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
30 V |
集电极最大直流电流 |
0.8 A |
最小直流电流增益 |
30@50mA@5V |
最大工作频率 |
100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
0.25@5mA@50mA V |
最大集电极基极电压 |
50 V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
最大功率耗散 |
625 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Bulk |
集电极最大直流电流 |
0.8 |
最低工作温度 |
-55 |
Maximum Transition Frequency |
100(Min) |
包装宽度 |
4.19(Max) |
PCB |
3 |
最大功率耗散 |
625 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
50 |
最大集电极发射极电压 |
30 |
供应商封装形式 |
TO-92 |
标准包装名称 |
TO-92 |
最高工作温度 |
150 |
包装长度 |
5.2(Max) |
包装高度 |
5.33(Max) |
最大基地发射极电压 |
5 |
封装 |
Bulk |
铅形状 |
Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
800mA |
晶体管类型 |
PNP |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
250mV @ 5mA, 50mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
30V |
供应商设备封装 |
TO-92-3 |
功率 - 最大 |
625mW |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
30 @ 50mA, 5V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
2000 |
集电极 - 发射极饱和电压 |
0.25 V |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 |
PNP |
发射极 - 基极电压VEBO |
5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 |
30 |
直流电流增益hFE最大值 |
150 |
增益带宽产品fT |
100 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
30 V |
安装风格 |
Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO |
50 V |
最低工作温度 |
- 55 C |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
连续集电极电流 |
0.8 A |